В установке ARDIS 100 применяется  плазмохимический способ синтеза алмаза.

Процесс осаждения алмаза из газовой фазы состоит из следующих этапов: в вакуумную камеру подается смесь углеводорода, например, метана (несколько процентов) и водорода, которые диссоциируют в СВЧ- плазме, поддерживаемой мощным микроволновым излучением. Продукты разложения (углеводородные радикалы и атомарный водород) доставляются к подложке, нагретой до высокой температуры (типичные значения 700-1000?С), на которой происходит осаждение алмаза. Пленки получаются поликристаллическими, если в качестве подложек используют кремний, молибден, или другие стойкие к нагреву и водородной атмосфере материалы. Эпитаксиальный рост реализуется на алмазных подложках.

Безэлектродный СВЧ разряд позволяет получать алмаз самого высокого качества, поддерживая стабильные параметры процесса синтеза на протяжении сотен часов.