В установке ARDIS 100 применяется плазмохимический способ синтеза алмаза.
Процесс осаждения алмаза из газовой фазы состоит из следующих этапов: в вакуумную камеру подается смесь углеводорода, например, метана (несколько процентов) и водорода, которые диссоциируют в СВЧ- плазме, поддерживаемой мощным микроволновым излучением. Продукты разложения (углеводородные радикалы и атомарный водород) доставляются к подложке, нагретой до высокой температуры (типичные значения 700-1000?С), на которой происходит осаждение алмаза. Пленки получаются поликристаллическими, если в качестве подложек используют кремний, молибден, или другие стойкие к нагреву и водородной атмосфере материалы. Эпитаксиальный рост реализуется на алмазных подложках.
Безэлектродный СВЧ разряд позволяет получать алмаз самого высокого качества, поддерживая стабильные параметры процесса синтеза на протяжении сотен часов.
Схема процесса осаждения алмазной плёнки из газовой фазы.
СВЧ плазма в процессе роста алмазной пленки.
Рамановский спектр алмазной пластины оптического качества.
Микроструктура алмазной пленки.
Спектр оптического пропускания поликристаллической алмазной пластины в УФ, видимой и ИК областях.
Алмазная пленка толщиной 15 мкм, осажденная на поверхности композита Ti-B-Si-алмаз.